香蕉网站永久在线视频,人妻无码版,动漫精品无码,国产成人1024在线观看,亚洲线上久久精品一区二区,成人免费视频一区二区三区,正在播放熟女少妇,免费A∨中文高清在线,免费国产黄线在线播放,中文字幕大看蕉永久网

半導(dǎo)體銷售額月度環(huán)比八連增，同比降幅收窄。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，自 2023 年 2 月以來(lái)，全球半導(dǎo)體銷售額連續(xù) 8 個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng)，同比降幅自 2023 年 5 月起呈逐步收窄趨勢(shì)，行業(yè)底部將過(guò)。2023 年 9 月，全球半導(dǎo)體銷售額為 449 億美元，同比降低 4%；中國(guó)半導(dǎo)體銷售額為 131 億美元，同比降低 9%。根據(jù) WSTS 預(yù)計(jì)，2024 年全球半導(dǎo)體銷售額將增長(zhǎng) 12%，達(dá)到5760 億美元。

1.1 半導(dǎo)體設(shè)備加速國(guó)產(chǎn)化

中國(guó)大陸成為全球第 一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，設(shè)備主要依賴進(jìn)口。得益于中國(guó)半導(dǎo)體全行業(yè)的蓬勃發(fā)展和國(guó)家近年來(lái)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)的政策扶持，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的規(guī)模快速增長(zhǎng)，2022 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)達(dá)到 283 億美元，占全球市場(chǎng)的 26%。根據(jù)中投顧問(wèn)預(yù)測(cè)，2023 年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)達(dá)到 337 億美元。目前中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)國(guó)產(chǎn)化還處于起步階段，對(duì)設(shè)備進(jìn)口依賴程度較大。

檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備是未來(lái)長(zhǎng)存、長(zhǎng)鑫等產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)需要突破的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。22 年 10 月 7 日，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)和安全局（BIS）公布了一系列更廣泛的出口管制新規(guī)，半導(dǎo)體制造端限制延伸至 18 納米或以下的 DRAM 芯片、128 層或以上的 NAND 閃存芯片和 14 納米或以下的邏輯芯片。直接導(dǎo)致國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃受影響，相關(guān)廠商如果未來(lái)想在此次新規(guī)限制的技術(shù)范疇內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)，檢測(cè)量測(cè)設(shè)備的突破將成為關(guān)鍵的一環(huán)，行業(yè)國(guó)產(chǎn)化率未來(lái) 3-5 年至少 10 倍級(jí)提升空間。從確定性的角度看，國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)、先進(jìn)邏輯產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)訴求強(qiáng)烈，檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備突破必要性強(qiáng)。

設(shè)備驗(yàn)證有望加速，精測(cè)電子等頭部廠商已有放量勢(shì)頭。由于過(guò)去國(guó)內(nèi)檢測(cè)與量測(cè)市場(chǎng)主要由美系廠商主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)廠商體量較小，我們預(yù)計(jì)，美國(guó)半導(dǎo)體管制新規(guī)后國(guó)內(nèi)檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備廠商有望受到下游晶圓廠、政府部分鼎力支持，設(shè)備驗(yàn)證和訂單放量加速可期。目前，頭部廠商已有放量勢(shì)頭，精測(cè)電子截至 2023 年第三季度報(bào)告披露日的半導(dǎo)體領(lǐng)域在手訂單為 14.89 億，較 2022年報(bào)披露日公布的 8.91 億增長(zhǎng)了 67%，相當(dāng)于 22 年該部分營(yíng)收的 8 倍以上；中科飛測(cè) 23 年 Q3末的合同負(fù)債金額達(dá)到 5.27 億元，是 2021 年底的 3 倍以上。

行業(yè)特點(diǎn)決定未來(lái)放量有望呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。一方面，半導(dǎo)體設(shè)備在下游客戶驗(yàn)證有一定復(fù)用性，同種工藝的機(jī)臺(tái)在客戶 A 處通過(guò)驗(yàn)證后在客戶 B 處驗(yàn)證時(shí)間有望縮短；另一方面，隨著下游晶圓廠對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備的信任度增強(qiáng)，訂單往往呈現(xiàn)樣機(jī)→小批量訂單→大批量訂單的特征，所以半導(dǎo)體設(shè)備放量過(guò)程往往存在加速趨勢(shì)。我們認(rèn)為，檢測(cè)與量測(cè)設(shè)備市場(chǎng)目前相當(dāng)于 2018 年的 CMP設(shè)備市場(chǎng)，美國(guó)半導(dǎo)體管制新規(guī)和國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商擴(kuò)產(chǎn)需求迫切的背景下未來(lái)國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商份額和收入增長(zhǎng)將駛?cè)肟燔嚨馈?/p>

國(guó)內(nèi)在大部分成熟工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)備取得突破，先進(jìn)制程設(shè)備仍待突破。單從設(shè)備看，去膠設(shè)備，清洗設(shè)備，管式爐和擴(kuò)散設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化替代程度較好，而光刻機(jī)、關(guān)鍵核心層的刻蝕、金屬層的薄膜沉積、離子注入、檢測(cè)設(shè)備等難度比較大的設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)替代率低。從工藝制程覆蓋角度看，國(guó)內(nèi)主流設(shè)備廠商在多個(gè)環(huán)節(jié)中可覆蓋 28nm 及以上的應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)對(duì)下游的批量供應(yīng)，14nm 及以下設(shè)備有望逐步突破。

1.2 供應(yīng)鏈安全重要性日益增加，存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速

以三星、英特爾等為代表的國(guó)際巨頭占我國(guó)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)份額約 8 成，國(guó)產(chǎn)替代空間大。按收入金額口徑統(tǒng)計(jì)，2021年我國(guó)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)主要份額仍被國(guó)際IT巨頭占據(jù)，份額約八成，國(guó)產(chǎn)品牌中，僅憶聯(lián)科技和憶恒創(chuàng)源市占率相對(duì)領(lǐng)先，分別為 9%和 6%，國(guó)產(chǎn)廠商尚有提升空間。

分行業(yè)看，按采購(gòu)金額核算，2021 年，云計(jì)算和互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)仍是我國(guó)企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品的主要下游客戶，占總市場(chǎng)規(guī)模的份額約為 65%，電信運(yùn)營(yíng)商以 13%的市場(chǎng)份額居后。目前在供應(yīng)鏈穩(wěn)定性增強(qiáng)及國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)的驅(qū)動(dòng)下，政務(wù)和重要行業(yè)等信創(chuàng)市場(chǎng)先行，其他行業(yè)也有望逐步提升國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商滲透率，本土企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤廠商有機(jī)會(huì)獲得市場(chǎng)機(jī)遇。

特種領(lǐng)域：信息化建設(shè)加速，重視供應(yīng)鏈自主可控和安全可靠。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全是信息安全最關(guān)鍵的核心環(huán)節(jié)之一，各國(guó)均高度重視自主信息存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，同時(shí)極為重視引領(lǐng)固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，大力推動(dòng)加快研制基于自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)級(jí)固態(tài)盤、處理器及其核心軟件固態(tài)盤陣列等全自主存儲(chǔ)系統(tǒng)。我們認(rèn)為，特種領(lǐng)域加快信息化建設(shè)將提升基礎(chǔ)設(shè)施用量，增量市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率將提升，存量市場(chǎng)在未來(lái)的替換中也將逐步滲透。

信創(chuàng)領(lǐng)域：構(gòu)建“2+8+N”應(yīng)用體系，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化滲透率提升。2019 年我國(guó)提出發(fā)展信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)，信創(chuàng)的本質(zhì)是實(shí)現(xiàn)中國(guó)信息化產(chǎn)業(yè)的自主可控，全面保障我國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全和信息安全。2020~2022年是黨政信創(chuàng)需求爆發(fā)的三年，2022年黨政信創(chuàng)政策支持由中央層面開始逐漸下沉，形成了中央引領(lǐng)、地方響應(yīng)的積極局面，計(jì)劃到 2027 年央企國(guó)企進(jìn)一步落實(shí)信創(chuàng)升級(jí)，升級(jí)范圍涵蓋芯片、基礎(chǔ)軟件、操作系統(tǒng)、中間件等領(lǐng)域。根據(jù)國(guó)務(wù)院印發(fā)的《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》，中國(guó)芯片自給率要在 2025 年達(dá)到 70%。從 2023 開始至2027 年，行業(yè)信創(chuàng)將接力黨政信創(chuàng)，從金融行業(yè)、能源行業(yè)、運(yùn)營(yíng)商逐漸向教育、醫(yī)療等行業(yè)擴(kuò)散，政務(wù)市場(chǎng)需求在存儲(chǔ)整體需求中不到 10%，未來(lái)行業(yè)市場(chǎng)將帶來(lái)廣闊空間。

美光在華銷售產(chǎn)品安全審查落地，存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。2023 年 5 月 21 日晚，中國(guó)網(wǎng)信辦發(fā)布了對(duì)美光公司在華銷售產(chǎn)品的安全審查結(jié)果。審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問(wèn)題隱患，對(duì)我國(guó)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國(guó)國(guó)家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法作出不予通過(guò)網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，我國(guó)內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營(yíng)者應(yīng)停止采購(gòu)美光公司產(chǎn)品。根據(jù)美光 2022 年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，美光在中國(guó)地區(qū)營(yíng)收達(dá) 33 億美元，占其總營(yíng)收的 11%，考慮美光通過(guò)其它地區(qū)銷售并最終通向中國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品，還將超過(guò)該值，短期利好在部分領(lǐng)域與美光直接競(jìng)爭(zhēng)的相關(guān)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商，長(zhǎng)期來(lái)看也有望加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

2.1 NAND 市場(chǎng)空間廣闊

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)中，DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)主導(dǎo)地位。隨著電子產(chǎn)品對(duì)即時(shí)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高和 CPU 升級(jí)迭代，DRAM 器件的主流存儲(chǔ)容量亦持續(xù)擴(kuò)大。近年來(lái)隨著 NAND Flash 技術(shù)不斷發(fā)展，單位存儲(chǔ)成本的經(jīng)濟(jì)效益不斷優(yōu)化，應(yīng)用場(chǎng)景持續(xù)拓展，用戶需求也不斷攀升。根據(jù) IC Insights 數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)中 DRAM 占比達(dá) 56%，NAND Flash 約占41%，系半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)最主流的兩大存儲(chǔ)芯片(其他的存儲(chǔ)產(chǎn)品形態(tài)為以NORFlash 為代表的小容量存儲(chǔ)占比約 2%) 。

2023 年 NAND 雙端增速高于 DRAM。據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2023 年，NAND 和 DRAM 供給端增速分別為 1.3%和-0.3%、需求端增速分別為 9.6%與 7.18%。在 DRAM 方面，根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告，目前行業(yè)巨頭處于 10nm 量產(chǎn)階段，國(guó)內(nèi)最 先進(jìn)行業(yè)技術(shù)處于 1Xnm（16nm -19nm）階段，落后約 4 年時(shí)間。在 NAND 方面，國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了目前最 高比特密度 232 層 3D NAND 閃存芯片，達(dá)到了世界先進(jìn)水平，NAND 國(guó)產(chǎn)替代潛力較大。

全球 NAND存儲(chǔ)器市場(chǎng)主要被海外存儲(chǔ)巨頭壟斷。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，23Q2全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模為 91.28 億美元，主要被三星、鎧俠、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)、美光五家壟斷，五家市場(chǎng)份額高達(dá) 94.7%。

NAND 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)保持快速擴(kuò)張趨勢(shì)。根據(jù) WSTS 發(fā)布的數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)到 2024 年，存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 1203.26 億美元，較去年增長(zhǎng)了 43.18%。特別是在全球 ADAS 領(lǐng)域，根據(jù) Gartner 預(yù)計(jì)，到 2024 年 NAND Flash 存儲(chǔ)的消費(fèi)將飆升至 41.5 億 GB，2019 年至 2024 年的復(fù)合增速高達(dá) 79.9%，成長(zhǎng)空間巨大。

2023 年 NAND 保持供需雙端增長(zhǎng)。據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，從供給端看，2023 年，NAND 增速為1.3%。從需求端看，2023 年 NAND 總需求位元呈現(xiàn)上升趨勢(shì)，增速為 9.6%。具體來(lái)看，服務(wù)器NAND 位元和手機(jī) NAND 位元需求分別保持 26.0%和 20.3%的增長(zhǎng)，筆記本 NAND 位元需求處于低位，增速為-2.6%。

智能手機(jī)和 PC 需求有望復(fù)蘇，疊加車規(guī)高端存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)。一方面，智能手機(jī)、PC 等存儲(chǔ)應(yīng)用的重要領(lǐng)域需求逐步復(fù)蘇；另一方面智能汽車推動(dòng)高端存儲(chǔ)需求。據(jù) Counterpoint Research 估算，未來(lái)十年內(nèi)，單車存儲(chǔ)容量將從 2TB 增長(zhǎng)至 11TB，NAND 存儲(chǔ)在汽車領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用和市場(chǎng)需求。隨著汽車逐漸從傳統(tǒng)交通工具轉(zhuǎn)變?yōu)橐苿?dòng)終端，車載娛樂(lè)系統(tǒng)、智能駕駛輔助系統(tǒng)等應(yīng)用的普及，對(duì)存儲(chǔ)容量和速度提出了更高的要求。NAND 存儲(chǔ)技術(shù)的不斷創(chuàng)新和提升，將為智能汽車領(lǐng)域帶來(lái)更多可能性，推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步和升級(jí)。

2.2 出貨量和訂單呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，2024 年前景向好

2024年市場(chǎng)前景向好。TrendForce報(bào)告顯示，23年二季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)收入環(huán)比增長(zhǎng)7.4%，營(yíng)收約為 93.4 億美元。受供需關(guān)系影響 ASP 下跌10~15%，同時(shí)位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng) 19.9%。

根據(jù) DIGITIMES 最 新報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)有望從 2024 年起全面反彈。隨著智能手機(jī)市場(chǎng)逐漸復(fù)蘇，預(yù)計(jì)一些市場(chǎng)將出現(xiàn) DRAM 和 NAND 芯片的供應(yīng)短缺的情況，特別是在中國(guó)市場(chǎng)。根據(jù)TrendForce 分析，原廠維持節(jié)制的投片策略，供應(yīng)緊張，有望在價(jià)格上掌握主導(dǎo)優(yōu)勢(shì)；由于原廠嚴(yán)控產(chǎn)出，NAND Flash 合約價(jià)預(yù)計(jì)將在今年 Q4 起全面上漲，季漲幅約 8-13%。展望 2024 年，我們認(rèn)為在下游需求回暖的情況下，NAND Flash 有望延續(xù)市場(chǎng)熱度。

2.3 國(guó)內(nèi)廠商發(fā)展加速，期待擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)展

國(guó)內(nèi)廠商大力技術(shù)創(chuàng)新，不斷縮小與海外差距。媒體報(bào)道，國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于 Xtacking 3.0架構(gòu)，代號(hào)“武當(dāng)山”的 128 層 NAND 已大量出貨，并早在 2022 年底就成功量產(chǎn)了 232 層 3D NAND 閃存芯片，技術(shù)比肩國(guó)際一線大廠。東芯股份的 NAND 產(chǎn)品，包括 28nm、24nm 和 2xnm系列產(chǎn)品，已在國(guó)內(nèi)外代工廠開始量產(chǎn)，同時(shí)正在代工廠研發(fā) 1xnm 產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新以 SLC 顆粒為主的 SPI NAND Flash 和 Parallel NAND 兩類產(chǎn)品目前已實(shí)現(xiàn) 1-8Gb 容量覆蓋，在 38nm 和24nm工藝制程均實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。江波龍目前5款自研發(fā)產(chǎn)品覆蓋4xnm至2xnm工藝，并提供512Mbit至 8Gbit 容量，量產(chǎn)超過(guò) 1000 萬(wàn)顆。

期待國(guó)產(chǎn) NAND 廠商的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)展。隨著國(guó)家政策的推動(dòng)，在以運(yùn)營(yíng)商為主的公有云市場(chǎng)迎來(lái)發(fā)展的同時(shí)，客戶基于本地化和安全等考慮，會(huì)考慮更多地采用國(guó)產(chǎn) eSSD。23 年 3 月，高德紅外的項(xiàng)目需求采購(gòu)中，就曾明確說(shuō)明采購(gòu)百分百國(guó)產(chǎn)化的 NAND Flash 芯片。

2.4 NAND 技術(shù)發(fā)展帶動(dòng)上游設(shè)備需求

3D NAND 堆疊層數(shù)增加拉動(dòng)刻蝕及薄膜沉積設(shè)備需求。3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)，當(dāng)前疊堆層數(shù)正從 96/128 層向 200 層以上發(fā)展，層數(shù)增加導(dǎo)致晶圓廠對(duì)刻蝕設(shè)備需求量上升。根據(jù)東京電子統(tǒng)計(jì)，刻蝕設(shè)備占 FLASH 芯片產(chǎn)線資本開支比例從 2D 時(shí)代的 15%增長(zhǎng)至 3D 時(shí)代的 50%。此外，3D 工藝下，刻蝕要在氧化硅和氮化硅一對(duì)的疊層結(jié)構(gòu)上，加工 40：1 到 60：1 的極深孔或極深的溝槽，3D NAND 層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比。

中微公司高深寬比刻蝕技術(shù)持續(xù)取得突破。公司自主開發(fā)了極高深比刻蝕機(jī)，該設(shè)備用 400KHz取代 2MHz 作為偏壓射頻源，以獲得更高的離子入射能量和準(zhǔn)直性，使得深孔及深槽刻蝕關(guān)鍵尺寸的大小符合規(guī)格。